رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM60N900CI C0G
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM60N900CI C0G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
المخزون:
12894521
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM60N900CI C0G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
480 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
TSM60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TSM60N900CIC0G
TSM60N900CI C0G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFIB6N60APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
900
DiGi رقم الجزء
IRFIB6N60APBF-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFIBC40GLCPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFIBC40GLCPBF-DG
سعر الوحدة
2.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
